La producción en masa no llegará hasta 2028, pero el prototipo ya está en Taipéi y anticipa un cambio de generación
Ayer, en el Computex, Samsung mostró por primera vez un prototipo de su HBM5, la que será su memoria de ancho de banda de octava generación: la compañía no tiene intención de quedarse rezagada en el mercado que más crece ahora mismo.
No es la primera vez que Samsung aparece en esta conversación. El papel de la memoria HBM en la IA ya ha tenido consecuencias directas en el precio de los móviles, precisamente porque los grandes fabricantes han desviado capacidad de producción hacia este segmento. Lo que se presentó ayer en Computex es el siguiente paso de esa historia.
Qué es exactamente el HBM5 y qué lo hace diferente
HBM son las siglas de High Bandwidth Memory, memoria de alto ancho de banda. Es el tipo de memoria que va pegada directamente a las GPUs más potentes del mercado, las mismas que entrenan los modelos de lenguaje y hacen funcionar los centros de datos de IA. No es la RAM que lleva tu móvil. Es algo bastante más especializado, mucho más caro, y cada generación mueve cantidades de datos significativamente mayores que la anterior.
El HBM5 que Samsung ha enseñado en Computex 2026 viene en configuraciones de 12, 16 y 20 capas de DRAM apiladas, y la base lógica del chip está prevista para fabricarse en un proceso de 2 nanómetros propio de Samsung.
Eso supone un salto notable frente a lo que la empresa tiene en producción ahora mismo, y promete mejoras tanto en velocidad de transferencia como en eficiencia energética. Para que haya un punto de referencia: su HBM4E actual ya opera a 14 Gbps por pin con margen de escalar a 16 Gbps, entregando hasta 4 TB/s de ancho de banda por pila.
El calor, el problema más serio de la próxima generación
Hay algo que no suele aparecer en los titulares de este tipo de anuncios y que en este caso es tan relevante como las cifras de velocidad: la gestión del calor.
A medida que las memorias HBM procesan más datos a mayor velocidad, la temperatura en el interior de la pila sube de forma significativa. En el HBM5, el principal foco de calor está en la capa de conexión entre los chips apilados y las GPU externas, responsable de la transferencia ultrarrápida de datos.
Para resolver eso, Samsung ha desarrollado una tecnología que llama Heat Path Block (HPB). En esencia, crea una vía independiente dentro del chip para conducir y disipar el calor de forma más eficiente, reduciendo la resistencia térmica y ayudando a que el sistema mantenga un rendimiento estable bajo cargas muy intensas.
2028, el año en que esto llegará a la producción real
Lo que Samsung enseñó en Taipéi es una maqueta, no un chip en producción. La hoja de ruta apunta a que la fabricación en masa del HBM5 no empezará hasta 2028, lo que deja todavía tiempo para que el HBM4E sea el estándar en los sistemas de IA durante los próximos dos años.
Song Jai-hyuk, presidente y director de tecnología de la división de semiconductores de Samsung, fue quien presentó el prototipo, y en sus palabras se refirió a la voluntad de la compañía de seguir reforzando su posición en el mercado de chips de próxima generación en colaboración con socios globales como NVIDIA.
Imágenes | Trendforce con edición, ChosunBiz
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