Samsung quiere ser imprescindible en la IA, pero esta vez no con un móvil, sino con las memorias HBM4E

Durante meses, el nombre que ha dominado la conversación sobre IA no ha sido el de ningún modelo de lenguaje ni el de ningún chip para móviles. Ha sido el de la memoria HBM.

Y ahí Samsung lleva tiempo empleándose a fondo, con consecuencias que van mucho más allá de los centros de datos. La memoria de tipo HBM ya ha encarecido la RAM de los Galaxy y ha reconfigurado cómo la compañía reparte su capacidad de fabricación.

Ahora, Samsung anuncia que ha dado un paso más: ha comenzado a distribuir las primeras muestras de HBM4E a sus clientes globales, convirtiéndose en el primer fabricante del mundo en hacerlo.

Qué es el HBM4E y en qué mejora a su predecesor

El HBM4E es la evolución directa del HBM4, cuya producción en masa Samsung inició a principios de este año. La "E" viene de "Extended", y describe exactamente lo que ofrece: más capacidad, más velocidad y mejor eficiencia energética sobre una base ya muy sólida.

En números concretos, esta nueva memoria de 12 capas alcanza una velocidad estable de 14 Gbps, con margen para escalar hasta los 16 Gbps. Eso supone más de un 20 % de mejora sobre el HBM4 estándar, y se traduce en un ancho de banda de hasta 3,6 terabytes por segundo por pila, algo que en la práctica significa que los grandes modelos de lenguaje y los sistemas de IA más exigentes tienen más carril para procesar datos sin cuellos de botella.

La capacidad también sube. La configuración de 12 capas que Samsung está enviando ahora llega a 48 GB por pila, un 30 % más que la generación anterior. Y la hoja de ruta contempla versiones de 32 GB en 8 capas y 64 GB en 16 capas, adaptadas a distintas necesidades.

La eficiencia, el otro argumento que importa

Más allá de la velocidad bruta, Samsung anuncia este diseño como una mejora en el equilibrio entre rendimiento y consumo. Según la compañía, el HBM4E reduce el consumo energético un 16 % y mejora la resistencia térmica más de un 14 % respecto a la generación anterior. En un contexto de centros de datos que ya consumen cantidades ingentes de electricidad para alimentar modelos de IA, esos números tienen peso real.

Para conseguirlo, la compañía ha combinado su proceso DRAM de clase 10 nanómetros de sexta generación con una base lógica fabricada en proceso de 4 nanómetros de Samsung Foundry. Es la misma base tecnológica del HBM4, lo que en teoría facilita la estabilidad del proceso y la transición a producción en masa.

Lo que sigue: de las muestras a la producción

El envío de muestras es el primer paso del ciclo. Samsung lo deja claro en su comunicado: el objetivo ahora es recabar el feedback de sus principales clientes globales antes de escalar la producción. Sang Joon Hwang, vicepresidente ejecutivo y responsable de desarrollo de memoria de Samsung Electronics, lo describe así: la compañía ha demostrado "una ventaja tecnológica diferencial" con el HBM4E, y el objetivo es seguir liderando el crecimiento del mercado de memoria para IA.

No hay fecha concreta para la producción en masa. Samsung indica que esa decisión se tomará siguiendo los calendarios de sus clientes, una vez completadas las pruebas de optimización. Mientras tanto, la producción del HBM4 original sigue creciendo, con valoraciones positivas según la propia compañía.

Para quien sigue de cerca el ecosistema Samsung desde el lado del consumidor, la historia del HBM4E no llega en forma de un nuevo Galaxy ni de una función de One UI. Llega como una pieza del tablero que explica por qué Samsung está invirtiendo con tanta intensidad en semiconductores de alto rendimiento, y por qué eso tiene un reflejo directo (aunque no siempre visible) en los dispositivos que llegan a las tiendas.

Imágenes | Samsung

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