EEUU cerró a China el atajo para fabricar chips avanzados. CXMT está demostrando que también se puede llegar dando cuatro veces más pasos

Estrangular el desarrollo de semiconductores no parece haber frenado a China. Solo hay que fijarse en los avances tecnológicos que está consiguiendo pese a los vetos de Estados Unidos. Como se suele decir, ante la necesidad suele activarse el ingenio. CXMT es el mejor ejemplo.

El bloqueo a la litografía de vanguardia. China tiene que fabricar sus chips sin la maquinaria EUV de ASML. Esto dificulta alcanzar los procesos de fabricación más avanzados de sus principales competidores. Y obliga a tirar de ingenio, ya que los chinos han encontrado un atajo para sortear el problema.

En CXMT han aplicado una técnica, SAQP, que permite fabricar patrones litográficos mucho más densos sin que la maquinaria deba dibujar todas las líneas sobre la oblea de silicio. El patrón resultante es cuatro veces más denso que el inicial.

Si la máquina no puede dibujar tan fino, copia los bordes. Esta es justo la idea detrás del SAQP: subir la densidad sin que la máquina deba dibujar directamente sobre la oblea las líneas más finas definitivas. La clave está en dibujar un patrón inicial y utilizar sus bordes como molde para crear otros cada vez más finos. Esta tecnología de patronado cuádruple autoalineado SAQP, empleada por CXMT en su nueva plataforma G5, permite sortear parte de las limitaciones técnicas provocadas por las sanciones tecnológicas.

La empresa china, especialista en DRAM (aunque también se ha metido en almacenamiento NAND), ha presentado su plataforma de memoria de quinta generación, que utiliza patronado cuádruple SAQP. Según CXMT, esta tecnología logra varios hitos:

• Líneas más juntas. Gracias al SAQP, CXMT aumenta la densidad de la memoria hasta alcanzar un half-pitch de 11,95 nm en el área activa. Simplificando: consigue fabricar mucho más juntas las estructuras que forman la matriz de memoria.
• Condensadores mucho más altos y estrechos. La relación de aspecto consigue llegar a 45:1. Esto le permite a CXMT mantener la capacidad eléctrica necesaria en un menor espacio.
• Celdas más compactas. Mediante una adaptación de la tecnología HKMG (High-K Metal Gate), CXMT ha reducido la altura del área central de la matriz de memoria hasta los 6,762 micrómetros. Cuanto menos espacio ocupa cada estructura, más memoria puede empaquetarse en el mismo chip.
• Mayor aprovechamiento de chips por cada oblea. La mayor densidad de los patrones logra una mejora tangible: CXMT asegura que puede obtener al menos un 50 % más de chips por oblea que con su plataforma de cuarta generación, tomando como referencia chips de 8 Gb y antes de descontar las unidades defectuosas. Eso ayuda a reducir costes y a mejorar la eficiencia de fabricación.

En cuestión de producto finalizado, la empresa asegura que ya fabrica en masa dos productos LPDDR5X con 24 Gb por die (3 GB) destinadas a móviles y a electrónica portátil. La compañía no ha precisado qué dispositivos las están empleando actualmente.

No todo son ventajas. Parece que CXMT ha logrado aliviar parte de los inconvenientes de los vetos impuestos. El problema es que la tecnología SAQP exige un proceso más amplio, lo que complica la fabricación y puede elevar sus tiempos y costes. La empresa no ha compartido datos de esta parte de la nueva plataforma.

CXMT quiere plantar cara a quienes están moviendo hoy en día la industria de DRAM, Samsung, SK Hynix y Micron. El patronado cuádruple supone una solución ingeniosa a la ausencia de maquinaria de última generación, pero está por ver si CXMT logra el volumen de memoria necesario para competir de verdad con los líderes del mercado.

Imagen de portada | CXMT

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