Fabricar la memoria de otra forma iba a resolver los problemas de calor en los chips de IA. Samsung ha hallado un atajo

Cuando se habla del calor que generan los chips de inteligencia artificial, la conversación suele acabar en la refrigeración líquida de los centros de datos o en el diseño de las GPU. Hay un problema más pequeño y mucho menos visible que lleva meses ocupando a los ingenieros de Samsung: evitar que la propia memoria se caliente en exceso antes de que ese calor llegue a ningún sistema de refrigeración.

La solución que la compañía tenía sobre la mesa se llama hybrid bonding, una técnica que une directamente el cobre de cada capa de memoria sin las microesferas metálicas que se usan ahora.

Hace unas semanas, en Xataka Móvil contábamos cómo Samsung enseñó en Computex 2026 un primer prototipo de HBM5 pensado, entre otras cosas, para mejorar este mismo apartado térmico. Adoptar esa técnica antes de tiempo tiene un coste que, de momento, Samsung no parece dispuesta a asumir.

Un parche que se llama Heat Path Block

Según fuentes del sector citadas por la prensa surcoreana, Samsung está probando un componente adicional que se coloca junto al núcleo de la memoria HBM para ayudar a evacuar el calor, bautizado internamente como Heat Path Block (HPB).

También SK Hynix trabaja en una idea muy parecida con su propia tecnología, llamada iHBM. Ninguna sustituye al hybrid bonding: simplemente ataca uno de los dos problemas que esa técnica venía a resolver sin obligar a rediseñar el proceso de fabricación completo.

Un responsable del sector del empaquetado consultado por estos medios lo resume de forma sencilla: integrar un disipador junto al núcleo de la memoria no plantea una dificultad técnica especialmente alta, así que su paso a producción en masa no debería tener grandes sobresaltos.

Para una industria que ya arrastra retrasos con el hybrid bonding, contar con una opción más predecible pesa mucho, sobre todo después de que, como ya os hemos contado, OpenAI cerró con Samsung un contrato de suministro de HBM4, quedando claro hasta qué punto la memoria de alto rendimiento se ha convertido en el cuello de botella de toda la industria.

Por qué a la memoria ya no le urge adelgazar

El otro gran atractivo del hybrid bonding es que permite reducir el grosor total de la memoria HBM, algo que hasta ahora parecía imprescindible. 

Ese margen se ha relajado. El estándar de grosor pasó de 720 a 775 micrómetros al llegar HBM4, principalmente porque el número de capas de DRAM apiladas subió de 8-12 a 12-16. Ahora, se está discutiendo ampliar el límite hasta los 900 o incluso 1.000 micrómetros para la generación HBM5, con capas de hasta 20 pisos.

Si ese margen se aprueba, los fabricantes no necesitan comprimir tanto la separación entre capas de memoria, lo que quita presión sobre el hybrid bonding como única vía posible. A eso se suma que algunos de los grandes clientes de memoria de alta capacidad no están presionando tanto como se esperaba para adoptar cuanto antes los diseños más densos.

La hoja de ruta no se cancela, solo se retrasa

Nada de esto significa que Samsung y SK Hynix hayan aparcado el hybrid bonding. Ambas compañías siguen invirtiendo en su desarrollo, porque cuando las próximas generaciones de HBM necesiten multiplicar de nuevo el número de canales de entrada y salida, esta técnica volverá a ser la opción más razonable. 

Lo que sí ha cambiado es el calendario. Donde antes se hablaba de HBM4 como generación de entrada del hybrid bonding, ahora la mirada está puesta en el HBM4E de 16 capas o más adelante. Y mientras tanto, tanto Samsung como SK Hynix parecen haber encontrado en estos disipadores adicionales una forma de ganar tiempo sin renunciar a mejorar el comportamiento térmico de sus memorias más exigentes.

Imágenes | Dall-E con edición, Samsung

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