Publicidad

El Galaxy S6 destroza los benchmarks, especialmente un componente que pasamos por alto

El Galaxy S6 destroza los benchmarks, especialmente un componente que pasamos por alto
113 comentarios

Publicidad

Publicidad

Hasta ahora hablábamos de dos tecnologías en los nuevos Samsung Galaxy S6 y S6 Edge que ya nos predisponían a unos benchmarks sobresalientes:

  • Por un lado, estrena el SoC Exynos 7 Octa 7420 con GPU Mali-T760. El procesador tiene ocho núcleos similares a los del Snapdragon 810, pero se fabrica con transistores de 14 nanómetros en lugar de 20. En el Exynos, los cuatro núcleos Cortex-A57 operan a 2,1 GHz (mayor rendimiento) y los cuatro Cortex-A53, a 1,5 GHz (menor consumo).

  • Por otro lado, incorpora 3 GB de memoria DRAM tipo LPDDR4, que funciona a un voltaje reducido (1,1 voltios) y teóricamente puede alcanzar velocidades un 80% mayores que LPDDR3. De nuevo, más eficiencia y más rendimiento.

Pero tras las primeras pruebas, nos hemos encontrado con otro componente del que Samsung ya nos advirtió y que rompe los resultados de sus antecesores: la memoria flash.

La memoria UFS 2.0 del Galaxy S6

Ya contamos hace unos días que Samsung había presentado unas unidades de memoria NAND UFS 2.0, tres veces más rápidas que las eMMC (hasta ahora un estándar para toda la industria móvil). Lo que no creíamos probable era que fuera a incluir módulos de 32, 64 y 128 GB en los nuevos Galaxy S, pero así ha sido.

Samsung tiene dos motivos para usar este tipo de memoria flash: la velocidad, por supuesto (los picos de escritura y lectura dejan a las memorias convencionales en ridículo), y la eficiencia: aunque las UFS consumen más energía al procesar, terminan antes y pasan más tiempo "durmiendo".

UFS 2.0 es más rápida porque, a diferencia de eMMC, permite lectura y escritura simultánea (full-duplex) y porque trabaja de manera inteligente, priorizando los comandos entrantes de manera que se ejecuten en el orden más rápido posible.

Samsung no ha escatimado en materiales al diseñar los nuevos Galaxy S6, no iba a ser menos con los componentes internos. Sin embargo, UFS 2.0 es una tecnología reciente y es posible que queden algunas generaciones para llevarla a la gama media y baja.

Benchmarks de memoria

Según AndroBench, los nuevos Galaxy S6 leen de memoria a 314,87 megabytes por segundo y escriben a 139,08 MB/s; el Note 4, por ejemplo, lee a 147,05 y escribe a 34,26. Otros dispositivos como el Nexus 6 tienen NAND hasta diez veces más lentas.

Benchmarks del chipset

Pero el protagonista de los nuevos Galaxy S6, y el componente más exclusivo, es sin duda el SoC. Nadie tiene una tecnología de fabricación tan avanzada y es la primera vez que Samsung se atreve con un chipset propio para todos los mercados. Sin embargo, sabemos poco acerca del rendimiento de su procesador gráfico, la Mali-T760. ¿Supera el Exynos 7420 al Snapdragon 810 de Qualcomm?

Podemos ver que el Galaxy queda siempre por encima del HTC One M9, a pesar de que éste tiene una resolución FULL HD en lugar de QHD (las pruebas de GPU con GFXBench están reescaladas a 1080p, de lo contrario el M9 quedaría por encima). Parece que Samsung sabía lo que hacía al divorciarse de Qualcomm para lanzar su nuevo buque insignia.

En Xataka | Celestino García, VP Samsung España: "Para el diseño del Galaxy S6 hemos escuchado al consumidor"

Temas

Publicidad

Comentarios cerrados

Publicidad

Publicidad

Inicio
Compartir