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Samsung tendrá que pagar 400 millones de dólares por usar transistores patentados en sus procesadores

Samsung tendrá que pagar 400 millones de dólares por usar transistores patentados en sus procesadores
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La tecnología de los procesadores no deja de evolucionar, y junto a ella llegan transistores más eficientes que trabajan de forma conjunta para mejorar la velocidad y ahorrar energía en cada entrega de datos. Uno de los más populares del momento, los transistores FinFET, se usan para la fabricación de la gran mayoría de chips del mercado móvil, pero parece que no son tan libres como cabría pensar.

La última sentencia que ha caído sobre Samsung llega desde su propio país, pues el brazo de patentes de la Universidad de Corea del Sur ha demandado a sus compatriotas por el uso sin licencia de los procesadores FinFET. Según parece, y así lo ha ratificado el juez, el diseño de los FinFET está registrado y Samsung los ha empleado sin permiso, pese a que en el juicio hubo otras versiones de la historia.

Samsung a pagar, Qualcomm y GlobalFoundries sin consecuencias

Samsung Fin Fet

Samsung no es la única empresa que ha infringido la patente de los FinFET en la fabricación de procesadores. Según cuentan en Bloomberg, tanto Qualcommm como GlobalFoundries habrían seguido el mismo proceso que Samsung, aunque estos últimos no han sido condenados a realizar ningún tipo de pago. Tal vez, y esto es una suposición, por cómo se desarrolló el juicio.

En una primera instancia, KAIST IP US, el brazo licenciatario de la Universidad de Corea, presentó una queja a Samsung por el uso inapropiado de los transistores FinFET, y el gigante coreano desestimó la misma por creer que se trataba de una demanda pasajera que no llegaría a ninguna parte.

Samsung desestimó la queja antes del juicio, luego aseguró haber trabajado con la universidad para, en última instancia, tratar de invalidar la patente

Posteriormente, durante el juicio, Samsung afirmó haber trabajado con la propia Universidad de Corea del Sur para desarrollar la nueva generación de transistores FinFET, negando así la violación de la patente que ahora reclama la propia universidad. Este hecho, sin embargo, no pudo ser probado durante el juicio y Samsung llegó a tratar de invalidad la propia patente.

Así pues, a la conclusión del juicio entre Samsung y KAIST IP US, el juez determinó que la violación de la patente había sido deliberada, por lo que los 400 millones de dólares iniciales a los que Samsung ha sido condenado podrían multiplicarse incluso por tres. De creer el juez que es apropiado, la multa podría ascender a 1.200 millones de dólares.

Desde Samsung ya preparan la respuesta a esta condena y, en un comunicado de la compañía, afirman estar considerando "todas las opciones para obtener un resultado razonable, incluida una apelación". Por tanto, parece que la historia no acabará aquí y que desde Samsung continuarán batallando. Aunque lo más curioso es que ni Qualcomm ni GlobalFoundries parecen haber tenido penalizaciones durante el juicio. Seguiremos de cerca el desarrollo.

Vía | Bloomberg
En Xataka Móvil | Gate-all-around, la estructura de transistores cilíndricos con la que Samsung quiere llegar a los 3 nanómetros en 2020

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