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TSMC empezará a probar el proceso de cinco nanómetros para procesadores en abril de 2019

TSMC empezará a probar el proceso de cinco nanómetros para procesadores en abril de 2019
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Si algo tienen en común el procesador A12 de Apple, el nuevo Snapdragon 855 y el Kirin 980 es que los tres están fabricados con el proceso de siete nanómetros de TSMC. Eso, y que son pocos los dispositivos que los llevan incorporados actualmente. El proceso de siete nanómetros tiene todavía un buen trecho hasta popularizarse, algo que debería llegar en 2019 con la futura gama alta Android.

Sin embargo, el fabricante de semiconductores parece estar ya está pensando en el futuro y, como comentan en GizChina, comenzará a probar la tecnología FinFET de cinco nanómetros en abril de 2019. Esta fecha concuerda con los planes de TSMC para comenzar la producción en el segundo trimestre del año que viene, planes que están publicados en su propia página web.

Grabado de plasma para una mayor precisión

5 nm TSMC

El nuevo proceso de cinco nanómetros no será desarrollado por TSMC solamente, sino que se valdrá de la ayuda del holding holandés ASML, uno de los principales proveedores de tecnología fotolitográfica para la industria de los semiconductores, y Shenzhen Zhongwei Semiconductor, que habría provisto a TSMC de una máquina de grabado de plasma de cinco nanómetros.

Dicha máquina tiene una precisión más que milimétrica y se utilizaría para el grabado de microchips. No podemos olvidar que menos nanómetros significan menos tamaño, por lo que si se quieren reducir las dimensiones de un procesador será necesaria una tecnología cada vez más precisa. GizChina afirma que esta máquina es capaz de "grabar una sola línea con una profundidad del tamaño de miles de milésimas del grosor de un cabello". Multiplica eso por todas las capas de cada procesador.

Cuánto más se reduce el tamaño de los procesadores, más precisa debe ser la tecnología de grabado

La idea de esta tecnología es poder reducir el área del SoC un 45% (aproximadamente) con respecto a los 7 nm FinFET que tenemos actualmente, que a su vez ocupan un 70% menos de espacio que los FinFET de 16 nm. Todo esto a la par que se multiplica la cantidad de microtransistores y se aumenta la eficiencia energética. Tal es así que Robert Colwell, antiguo director de DARPA, dijo en 2013 que la tecnología de cinco nanómetros sería el fin de la Ley de Moore.

Por el momento estamos hablando de pruebas. TSMC planea comenzar la producción a mediados del año que viene, por lo que tendremos que esperar a los procesadores de la siguiente generación para ver los primeros avances. No sería descabellado pensar que los A13 de Apple, los Snapdragon 865 y los Kirin 990 podrían ser los primeros en usar esta tecnología, aunque solo el tiempo lo dirá.

Vía | GizChina

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