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El almacenamiento de los móviles será el doble de rápido con UFS 4.0

La RAM para móviles da la bienvenida a la tecnología LPDDR5X

El Redmi 9A recibe una importante inyección de memorias.

Samsung estrena un nuevo método para fabricar memorias RAM LPDDR4X y abre la puerta a gamas medias con 10GB de RAM o más.

Samsung inicia la producción de sus memorias eUFS 3.0 de 512GB, que duplican la velocidad de escritura de las actuales eUFS 2.1 y triplican la velocidad de lectura.

Samsung busca emplear su tecnología de construcción de discos SDD, y su experiencia y conocimientos adquiridos durante su desarrollo, para producir almacenamientos de 128GB para smartphones más baratos, veloces y eficientes.

Samsung es una compañía tan grande que sus productos abarcan gran cantidad de sectores, muchos de los cuales forman parte del ecosistema móvil en el que también comercializa teléfonos y sistemas operativos. Los coreanos producen...

Las próximas memorias de estado sólido de 256 GB, un 30% más rápidas gracias a la quinta generación de las V-NAND de Samsung, que arranca su fabricación en masa.

Samsung, HK Hynix y Micron se enfrentan en China a una investigación por posible fijación de precios en el sector de las memorias RAM dinámicas para móviles, PCs y servidores. El Gobierno chino la dirigirá y acabará en 2018.

Se ha publicado el nuevo estándar UFS 3.0, que promete duplicar la velocidad máxima de transferencia de las memorias flash incluidas, entre otros, en el interior de los teléfonos móviles. Hasta 2,4GB/s de transferencia.

Samsung ha empezado oficialmente a fabricar las nuevas memorias eUFS de 512GB de capacidad, con velocidades de escritura y lectura que multiplican por varios enteros a las actuales.